한국정보통신학회 논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)
Current Result Document :
| 한글제목(Korean Title) |
III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로 한 미세구조의 제조에 관한 연구 |
| 영문제목(English Title) |
Fabrication of InP-Based Microstructures for III- V Compound Semiconductor Micromachining |
| 저자(Author) |
심준환
노기영
이종현
황상구
홍창희
Jun-Hwan Sim
Ki-Young Roh
Jong-Hyun Lee
Sang-Ku Hwang
Tchang-Hee Hong
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| 원문수록처(Citation) |
VOL 04 NO. 05 PP. 1151 ~ 1156 (2000. 12) |
한글내용
(Korean Abstract) |
본 논문에서는 III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로한 미세구조의 제조에 관하여 보고한다. InP/InGaAsP/InP 구조를 성장시키기 위하여 수직 LPE 시스템을 사용하였다. 성장된 InGaAsP층의 두께는 0.4㎛이고, InP top-layer의 두께는 1㎛이었다. InGaAsP 미세구조의 제조는 front-side 벌크 마이크로 머시닝으로 이루어졌다. 실험결과에서 <100> 방향으로 놓인 빔의 에칭이<110>와 <110> 방향에서의 에칭보다 더 빠르기 때문에 빔은 <100> 방향으로 정렬되어야 함을 보였다.
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영문내용
(English Abstract) |
In this paper, we report a fabrication of InP-based microstructurs for III-V compound semiconductor micromachining. Vertical liquid phase epitaxy(LPE) system was used in order to grow the InP/lnGaAsP/InP layers. The thicknesses of InP top-layer and InGaAsP were 1㎛ and 0.4㎛, respectively. The fabrication of InGaAsP microstructures involves front-side bulk micromachining. The experimental result showed the beams must be carefully aligned in the <100> direction since the etching of the beam in the <100> direction is more faster than that of the beam in the <110> and <110> direction.
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